Norm

NEN-EN-IEC 62047-9:2011 en

Halfgeleiders - Micro-elektromechanische toestellen - Deel 9: Hechtsterktemeting van laag op laag voor MEMS

135,85

Over deze norm

Status Definitief
Aantal pagina's 28
Commissie Halfgeleiders
Gepubliceerd op 01-09-2011
Taal Engels
This standard describes bonding strength measurement method of wafer to wafer bonding, type of bonding process such as silicon to silicon fusion bonding, silicon to glass anodic bonding, etc., and applicable structure size during MEMS processing/assembly. The applicable wafer thickness is in the range of 10 μm to several millimeters.

Details

ICS-code 31.080.99
Nederlandse titel Halfgeleiders - Micro-elektromechanische toestellen - Deel 9: Hechtsterktemeting van laag op laag voor MEMS
Engelse titel Semiconductor devices - Micro-electromechanical devices - Part 9: Wafer to wafer bonding strength measurement for MEMS

Winkelwagen

Subtotaal:

Ga naar winkelwagen