Norm

NEN-EN-IEC 62417:2010 en

Halfgeleiderelementen - Mobiele ionbeproeving voor transistor met veldeffect, vervaardigd volgens de MOS-techniek

27,17

Over deze norm

Status Definitief
Aantal pagina's 12
Commissie Halfgeleiders
Gepubliceerd op 01-06-2010
Taal Engels
This present standard provides a wafer level test procedure to determine the amount of positive mobile charge in oxide layers in metal-oxide semiconductor field effect transistors. . It is applicable to both active and parasitic field effect transistors. The mobile charge can cause degradation of microelectronic devices, e.g. by shifting the threshold voltage of MOSFETs or by inversion of the base in bipolar transistors.

Details

ICS-code 31.080
Nederlandse titel Halfgeleiderelementen - Mobiele ionbeproeving voor transistor met veldeffect, vervaardigd volgens de MOS-techniek
Engelse titel Semiconductor devices - Mobile ion tests for metal-oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs)

Winkelwagen

Subtotaal:

Ga naar winkelwagen