Norm

NEN-ISO 17560:2002 en

Chemische analyse van oppervlakken - Secundaire ionen-massaspectrometrie - Methode voor diepteprofielen van borium in silicium

  • Deze norm is ingetrokken sinds 08-10-2014

48,19

Over deze norm

Status Ingetrokken
Aantal pagina's 10
Gepubliceerd op 01-08-2002
Taal Engels
This International Standard specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, poly-crystal or amorphous-silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 .10 16 atoms/cm 3 and 1 .10 20 atoms/cm 3 , and to crater depths of 50 nm or deeper.

Details

ICS-code 71.040.40
Nederlandse titel Chemische analyse van oppervlakken - Secundaire ionen-massaspectrometrie - Methode voor diepteprofielen van borium in silicium
Engelse titel Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
Vervangen door

Winkelwagen

Subtotaal:

Ga naar winkelwagen