Norm

NEN-ISO 17560:2014 en

Chemische analyse van oppervlakken - Secundaire ionen-massaspectrometrie - Methode voor diepteprofielen van borium in silicium

52,53

Over deze norm

Status Definitief
Aantal pagina's 10
Gepubliceerd op 01-10-2014
Taal Engels
NEN-ISO 17560 specifies a secondary-ion mass spectrometric method using magnetic-sector or quadrupole mass spectrometers for depth profiling of boron in silicon, and using stylus profilometry or optical interferometry for depth scale calibration. This method is applicable to single-crystal, polycrystal, or amorphous silicon specimens with boron atomic concentrations between 1 × 1016 atoms/cm3 and 1 × 1020 atoms/cm3, and to crater depths of 50 nm or deeper.

Details

ICS-code 71.040.40
Nederlandse titel Chemische analyse van oppervlakken - Secundaire ionen-massaspectrometrie - Methode voor diepteprofielen van borium in silicium
Engelse titel Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of boron in silicon
Vervangt

Winkelwagen

Subtotaal:

Ga naar winkelwagen